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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH09120F

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH09120F

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH09120F
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH09120F

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH09120F

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH09120F

descrizione
Numero del pezzo: CGH09120F Produttore: Cree/Wolfspeed
Descrizione: HEMT 28V 440095 del MOSFET di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di CGH09120F

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 2.5GHz
Guadagno 21.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.2A
Uscita elettrica 120W
Tensione - stimata 84V
Pacchetto/caso 440095
Pacchetto del dispositivo del fornitore 440095
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di CGH09120F

Rilevazione

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