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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60170D

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60170D

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60170D
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60170D

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60170D

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV60170D

descrizione
Numero del pezzo: CGHV60170D Produttore: Cree/Wolfspeed
Descrizione: Il HEMT 50V del MOSFET di RF MUORE Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di CGHV60170D

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 6GHz
Guadagno 17dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 260mA
Uscita elettrica 170W
Tensione - stimata 150V
Pacchetto/caso Muoia
Pacchetto del dispositivo del fornitore Muoia
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di CGHV60170D

Rilevazione

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